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ISGM2022	文件：443.59 Kbytes Page：5 Pages	HalfBridgeModule FEATURES ·VCE(sat)withpositivetemperaturecoefficient ·LowVCE(sat) ·Lowswitchinglosses ·Highcurrentcapability ·Shortcircuitrated APPLICATIONS ·Motordrives ·Servodrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KIA2022AFN	文件：279.86 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(1.5VAM/FMMPX) 1.5VAM/FM+MPX(forDigitalTurningSystem) TheKIA2022AFNisAM/FMIF+MPXsystemIC,whichisdesignedforDTSRadios. ThisisincludedmanyfunctionsandthesecanbeusedfordigitaltuningsystemwithIFcounter.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KPC2022	文件：193.38 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmitting)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
KTC2022D	文件：394.22 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=-2.0V(Max.). •ComplementarytoKTA1042D/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC2022D	文件：329.83 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage V(BR)CEO=100V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ·Fastswitchingspeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KTC2022D	文件：304.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=2.0V(Max)@IC=4A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KTC2022I	文件：889.59 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-251PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-251PlasticPackage. Features Lowcollector-emittersaturationvoltage,complementarytoKTA1042I. Applications Generalpurposeamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
KTC2022L	文件：394.22 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=-2.0V(Max.). •ComplementarytoKTA1042D/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC2022L	文件：59.29 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC2022L	文件：323.76 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=2.0V(Max)@IC=4A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
HDC2022EVM
制造商：
Texas Instruments
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估板 - 传感器
包装：
散装
传感器类型：
湿度，温度
感应范围：
-20°C 至 70°C，0 至 100% RH
接口：
I²C
电压 - 供电：
1.62V ~ 3.6V
嵌入式：
是
所含物品：
板
使用的 IC/零件：
HDC2022
描述：
HDC2022 TEMPERATURE AND HUMIDITY

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