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IR2022GS	文件：1.15187 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -InletfilterwithfuseholderandcomplywithIEC60127-6 -Goodshieldeffectbyusingmetalcase -MeetovervoltagecategoryIlofIEC60664andcomply withIEC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies Applications -Personalcomp	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
ISGM2022	文件：443.59 Kbytes Page：5 Pages	HalfBridgeModule FEATURES ·VCE(sat)withpositivetemperaturecoefficient ·LowVCE(sat) ·Lowswitchinglosses ·Highcurrentcapability ·Shortcircuitrated APPLICATIONS ·Motordrives ·Servodrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KIA2022AFN	文件：279.86 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(1.5VAM/FMMPX) 1.5VAM/FM+MPX(forDigitalTurningSystem) TheKIA2022AFNisAM/FMIF+MPXsystemIC,whichisdesignedforDTSRadios. ThisisincludedmanyfunctionsandthesecanbeusedfordigitaltuningsystemwithIFcounter.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KPC2022	文件：193.38 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmitting)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
KTC2022D	文件：394.22 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=-2.0V(Max.). •ComplementarytoKTA1042D/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC2022D	文件：329.83 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage V(BR)CEO=100V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ·Fastswitchingspeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KTC2022D	文件：304.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=2.0V(Max)@IC=4A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KTC2022I	文件：889.59 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-251PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-251PlasticPackage. Features Lowcollector-emittersaturationvoltage,complementarytoKTA1042I. Applications Generalpurposeamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
KTC2022L	文件：394.22 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=-2.0V(Max.). •ComplementarytoKTA1042D/L.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC2022L	文件：59.29 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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产品属性

产品编号：
HDC2022DEPT
制造商：
Texas Instruments
类别：
传感器，变送器 > 多功能
包装：
散装
传感器类型：
湿度，温度
输出类型：
I²C
工作温度：
-40°C ~ 125°C
描述：
HDC2022DEPT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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