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BD650	文件：108.13 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-100V(Min) ·HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=-3A ·LowSaturationVoltage ·ComplementtoTypeBD649 APPLICATIONS ·DesignedforuseascomplementaryAFpush-pull	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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更多HD650供应商更新时间2024-5-8 17:05:00

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