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HS-245RH	文件：341.73 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardenedTripleLineTransmitterandReceivers Features •ElectricallyScreenedtoSMD#5962-96722and 5962-96723 •QMLQualifiedperMIL-PRF-38535Requirements •RadiationHardenedDIProcessing -TotalDose....................200krad(Si)(Max) -LatchupFree -NeutronFluence..................5	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IRF245	文件：70.67 Kbytes Page：7 Pages	14Aand13A,275Vand250V,0.28and0.34Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF245	文件：48.33 Kbytes Page：2 Pages	StaticDrain-SourceOn-Resistance DESCRIPTION •DrainCurrentID=13A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.28Ω(Max) APPLICATIONS •Switchingpowersupplies •Switchingconverters,motordriver,relaydriver •Audioamplifierandservomotors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP245	文件：68.75 Kbytes Page：7 Pages	15Aand14A,275Vand250V,0.28and0.34Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP245	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCNH245W	文件：421.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IT245	文件：126.5 Kbytes Page：4 Pages	PulseTransformerwithSingleSecondaryWinding	SCHAFFNERSchaffner International Ltd 夏弗纳	SCHAFFNER
J245B	文件：42.25 Kbytes Page：1 Pages	T-1,(3-mm)Round,QuadPCBMountLEDIndicator	idea IDEA.lnc.	idea
KABS245	文件：734.24 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE2.0AMPSURFACEMOUNTBRIDGERECTIFIER Features SchottkyBrrierChip LowPowerLoss,HighEfficiency IdeallySuitedforAutomaticAssembly SurgeOverloadRatingtoPeak PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
KDV245	文件：386 Kbytes Page：2 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(VCOFORUHFBANDRADIO) VCOFORUHFBandRadio. FEATURES ●HighCapacitanceRatio:C0.5V/C2.5V=2.5(Typ.) ●LowSeriesResistance:rs=0.35(Typ.) ●UsefulforSmallSizeTuner.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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详细参数

型号：
HCTS245D
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
Radiation Hardened Octal Bus Transceiver, Three-State, Non-Inverting

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HCTS245D供应商更新时间2025-7-21 14:16:00

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