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MMIS70R1K4PTH	文件：377 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMIS70R1K4PTH	文件：1.25164 Mbytes Page：9 Pages	700V1.4(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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