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ISCNH360W

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=72A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.044Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多HCS360T-SLASHSN供应商 更新时间2025-7-25 11:02:00