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K4N35	文件：157.99 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmitting) ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorin6-pinpackage. FEATURES •SwitchingTime-Typ.3ms •Collector-EmitterVoltage:Min.30V •CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=10mA,VCE=10V) •ElectricalIsolation	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
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LTV-4N35M	文件：269.2 Kbytes Page：9 Pages	PropertyofLite-OnOnly Features •Highcurrenttransferratio(CTR:MIN.100atIF=10mA,VCE=10V) •Responsetime(ton:TYP,3satVCE=10V,IC=2mA,RL=100) •Input-outputisolationvoltage: LTV-4N35(Viso:3,550Vrms) LTV-4N37(Viso:1,550Vrms) •ULapproved(No.E113898) •TUVapproved(No.R9653630) •	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
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LTV-4N35S-TA	文件：269.2 Kbytes Page：9 Pages	PropertyofLite-OnOnly Features •Highcurrenttransferratio(CTR:MIN.100atIF=10mA,VCE=10V) •Responsetime(ton:TYP,3satVCE=10V,IC=2mA,RL=100) •Input-outputisolationvoltage: LTV-4N35(Viso:3,550Vrms) LTV-4N37(Viso:1,550Vrms) •ULapproved(No.E113898) •TUVapproved(No.R9653630) •	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
MTP4N35	文件：301.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
OPIA4N35	文件：2.04384 Mbytes Page：23 Pages	SMDandSOPPackages	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
PC4N35V	文件：148.83 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETYPEPHOTOCOUPLER	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
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RFP4N35	文件：1.08668 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市信佳源电子有限公司	HCPL4N35	AVAGO/安华高	11+	DIP SOP	19652	原装现货	询价
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更多HCPL4N35供应商更新时间2020-4-2 17:49:00

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