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HMC543	文件：447.03 Kbytes Page：8 Pages	22.5째MMIC4-BITDIGITALPHASESHIFTER,8-12GHz GeneralDescription TheHMC543isa4-bitdigitalphaseshifterdiewhichisratedfrom8to12GHz,providing0to360degreesofphasecoverage,withaLSBof22.5degrees.TheHMC543featuresverylowRMSphaseerrorof5degreesandextremelylowinsertionlossvariationof±0.8dBacrossall	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HW543	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HW543	文件：929.88 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	NTE NTE Electronics	NTE
ICS543	文件：60.37 Kbytes Page：4 Pages	PRELIMINARYINFORMATIONClockDividerand2XMultiplier Description TheICS543isacosteffectivewaytoproduceahighqualityclockoutputdividedfromaclockinput.Thechipacceptsaclockinputupto90MHzat5.0V,andbyusingproprietaryPhaseLockedLoop(PLL)techniques,producesadivideby3,5,6,or10,oramultiplyby2oftheinput	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
ICS543M	文件：60.37 Kbytes Page：4 Pages	PRELIMINARYINFORMATIONClockDividerand2XMultiplier Description TheICS543isacosteffectivewaytoproduceahighqualityclockoutputdividedfromaclockinput.Thechipacceptsaclockinputupto90MHzat5.0V,andbyusingproprietaryPhaseLockedLoop(PLL)techniques,producesadivideby3,5,6,or10,oramultiplyby2oftheinput	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
ICS543MT	文件：60.37 Kbytes Page：4 Pages	PRELIMINARYINFORMATIONClockDividerand2XMultiplier Description TheICS543isacosteffectivewaytoproduceahighqualityclockoutputdividedfromaclockinput.Thechipacceptsaclockinputupto90MHzat5.0V,andbyusingproprietaryPhaseLockedLoop(PLL)techniques,producesadivideby3,5,6,or10,oramultiplyby2oftheinput	ICST Integrated Circuit Systems	ICST
IRF543	文件：146.34 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,27A,60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF543	文件：45.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF543	文件：984.17 Kbytes Page：3 Pages	25Aand28A,80Vand100V,0.077and0.100Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF543	文件：103.6 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,27A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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