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RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Description TheIntersilHCS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCS273MSis | Intersil Intersil Corporation | Intersil | ||
RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Description TheIntersilHCS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCS273MSis | Intersil Intersil Corporation | Intersil | ||
RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
OctalDFlip-FlopwithCommonClockandResetwithLSTTL-CompatibleInputs OctalDFlip-FlopwithCommonClockandResetwithLSTTL-CompatibleInputs High–PerformanceSilicon–GateCMOS TheMC74HCT273AmaybeusedasalevelconverterforinterfacingTTLorNMOSoutputstoHigh–SpeedCMOSinputs. TheHCT273AisidenticalinpinouttotheLS273. Thisdevicec | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | Motorola | ||
OCTALD-TYPEFLIPFLOPWITHCLEAR DESCRIPTION The74VHCT273Aisanadvancedhigh-speedCMOSOCTALD-TYPEFLIPFLOPWITHCLEARfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:fMAX=170MHz(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION:ICC=4µA(MAX.)atTA=25°C ■COMPATIBLE | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | ||
OctalDFlip-FlopwithCommonClockandResetwithLSTTL-CompatibleInputs OctalDFlip-FlopwithCommonClockandResetwithLSTTL-CompatibleInputs High−PerformanceSilicon−GateCMOS TheMC74HCT273AmaybeusedasalevelconverterforinterfacingTTLorNMOSoutputstoHigh−SpeedCMOSinputs.TheHCT273AisidenticalinpinouttotheLS273. Thisdevicecons | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Description TheIntersilHCTS273MSisaRadiationHardenedoctalDflip-flop,positiveedgetriggered,withreset. TheHCTS273MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradiationhardened,high-speed,CMOS/SOSLogicFamily. TheHCTS273MS | Intersil Intersil Corporation | Intersil | ||
RadiationHardenedOctalDFlip-Flop Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s.20nsPulse •La | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
详细参数
- 型号：
HCPL-273L
- 功能描述：
高速光耦合器 100kBd 3.3V 0.5mA
- RoHS：
否
- 制造商：
Avago Technologies
- 最大正向二极管电压：
1.75 V
- 最大反向二极管电压：
5 V
- 最大功率耗散：
40 mW
- 最大工作温度：
+125 C
- 最小工作温度：
- 40 C
- 封装/箱体：
SOIC-5
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AVAGO |
10+ |
PDIP8 |
7800 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
AVAGO |
24+ |
SOP8 |
1400 |
询价 | |||
安捷伦 |
23+ |
DIP8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
AVAGO |
22+ |
DIPSOP |
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进口原装!现货库存 |
询价 | ||
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PDIP8 |
2000 |
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AVAGO/安华高 |
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询价 | ||
AVAGO |
22+ |
DIP8 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
AVAGO |
23+ |
SOP |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 |
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