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HCPL-3180	文件：259.149 Kbytes Page：16 Pages	2.5 Amp Output Current, High Speed, Gate Drive Optocoupler Description ThisfamilyofdevicesconsistsofaGaAsPLED.TheLEDisopticallycoupledtoanintegratedcircuitwithapowerstage.TheseoptocouplersareideallysuitedforhighfrequencydrivingofpowerIGBTsandMOSFETsusedinPlasmaDisplayPanels,highperformanceDC/DCconverters,and	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HCPL-3180	文件：466.31 Kbytes Page：19 Pages	Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HCPL-3180-000E	文件：259.149 Kbytes Page：16 Pages	2.5 Amp Output Current, High Speed, Gate Drive Optocoupler Description ThisfamilyofdevicesconsistsofaGaAsPLED.TheLEDisopticallycoupledtoanintegratedcircuitwithapowerstage.TheseoptocouplersareideallysuitedforhighfrequencydrivingofpowerIGBTsandMOSFETsusedinPlasmaDisplayPanels,highperformanceDC/DCconverters,and	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HCPL-3180-360	文件：259.149 Kbytes Page：16 Pages	2.5 Amp Output Current, High Speed, Gate Drive Optocoupler Description ThisfamilyofdevicesconsistsofaGaAsPLED.TheLEDisopticallycoupledtoanintegratedcircuitwithapowerstage.TheseoptocouplersareideallysuitedforhighfrequencydrivingofpowerIGBTsandMOSFETsusedinPlasmaDisplayPanels,highperformanceDC/DCconverters,and	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HCPL-3180-500E	文件：259.149 Kbytes Page：16 Pages	2.5 Amp Output Current, High Speed, Gate Drive Optocoupler Description ThisfamilyofdevicesconsistsofaGaAsPLED.TheLEDisopticallycoupledtoanintegratedcircuitwithapowerstage.TheseoptocouplersareideallysuitedforhighfrequencydrivingofpowerIGBTsandMOSFETsusedinPlasmaDisplayPanels,highperformanceDC/DCconverters,and	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HCPL-3180-060	文件：466.31 Kbytes Page：19 Pages	Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HCPL-3180-300	文件：466.31 Kbytes Page：19 Pages	Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
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详细参数

型号：
HCPL-3180
功能描述：
高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive
RoHS：
否
制造商：
Avago Technologies
最大正向二极管电压：
1.75 V
最大反向二极管电压：
5 V
最大功率耗散：
40 mW
最大工作温度：
+125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SOIC-5
封装：
Tube

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