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HMC-ALH244	文件：755.65 Kbytes Page：18 Pages	ACTIVEBIASCONTROLLER GeneralDescription HMC981isanactivebiascontrollerthatautomaticallyadjuststhegatevoltageofanexternalamplifiertoachieveconstantbiascurrent.ItcanbeusedtobiasanyenhancementanddepletiontypeamplifiersoperatinginClass-AregimewithDrainvoltagesfrom4Vto12Vanddr	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC-ALH244	文件：192 Kbytes Page：6 Pages	GaAsHEMTMMICLOWNOISEAMPLIFIER,24-40GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC-ALH244	文件：276.49 Kbytes Page：6 Pages	GaAsHEMTMMICLOWNOISEAMPLIFIER GeneralDescription TheHMC-ALH244isatwostageGaAsMMICHEMTLowNoiseAmplifierdiewhichoperatesbetween24and40GHz.Theamplifierprovides12dBofgain,anoisefigureof3.5dB,andrequiresonly45mAfroma+4Vsupplyvoltage.TheHMC-ALH244amplifierdieisidealforintegrati	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
IRF244	文件：70.67 Kbytes Page：7 Pages	14Aand13A,275Vand250V,0.28and0.34Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF244	文件：48.33 Kbytes Page：2 Pages	StaticDrain-SourceOn-Resistance	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP244	文件：68.75 Kbytes Page：7 Pages	15Aand14A,275Vand250V,0.28and0.34Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP244	文件：167.65 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=0.28ohm,Id=15A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole	IRF International Rectifier	IRF
IRFP244	文件：856.3 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP244	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.28Ω(Max) •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP244	文件：940.09 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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