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BU21025GUL	文件：741.54 Kbytes Page：19 Pages	4-wireResistiveTouchScreenController	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
KHC21025	文件：57.65 Kbytes Page：2 Pages	ComplementaryenhancementmodeMOStransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LTE21025R	文件：51.8 Kbytes Page：8 Pages	NPNmicrowavepowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistorinaSOT440Ametalceramicflangepackagewiththeemitterconnectedtotheflange. FEATURES •DiffusedemitterballastingresistorsprovideexcellentcurrentsharingandwithstandingahighVSWR •Self-alignedprocessentirel	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHC21025	文件：161.77 Kbytes Page：16 Pages	ComplementaryenhancementmodeMOStransistors DESCRIPTION OneN-channelandoneP-channelenhancementmodeMOStransistorinan8-pinplasticSOT96-1(SO8)package. FEATURES •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown •Verylowon-resistance. APPLICATIONS •Motorandactuatordriver •Powermanagement •Synchronizedrectificatio	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHC21025	文件：1.23118 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHC21025	文件：826.38 Kbytes Page：16 Pages	ComplementaryintermediatelevelFET 1.1Generaldescription IntermediatelevelN-channelandP-channelcomplementarypairenhancementmode Field-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingverticalD-MOStechnology.This productisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerand industrialapplic	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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更多HC21025供应商更新时间2024-4-29 19:04:00

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