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BC557B	文件：385.57 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC557B	文件：68.56 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.625W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageVCBO:BC556-80VBC557-50VBC558-30V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BC557B	文件：148.14 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePNPTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC557B	文件：294.96 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC557B	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposePNPTransistors •Powerdissipation500mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC557B	文件：358.64 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL CDIL	CDIL
BC557B	文件：53.1 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedMultipleTransistors??QuadSurfaceMount(Case751B-SO-16)??NPN/PNP)	ALLIED Allied Components International	ALLIED
BC557B	文件：58.97 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS APPLICATION PNPGeneralPurposeTransistors,EspeciallySuitedForUseinDriverStagesofAudioAmplifier,LowNoiseInputStagesofTapeRecorders,HI-FIAmplifiers,SignalProcessingCircuitsofTelevisionReceivers.	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
BC557B	文件：213.33 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS PNPSiliconTransistors	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC557B	文件：158.9 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors(PNPSilicon) AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC557B	文件：47.79 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. NPNcomplements:BC546,BC547andBC548. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC557B	文件：220.19 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BC557B	文件：80.17 Kbytes Page：12 Pages	PNPgeneralpurposetransistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC557B	文件：107.37 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC557B	文件：2.17097 Mbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor PNPGeneralPurposeTransistor	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC557B	文件：77.87 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC557B	文件：92 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistors	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC557B	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	ElektronischeBauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC557BG	文件：77.87 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC557BG	文件：87.24 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
HBC557
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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