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HBAT-540B-TR1G数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF

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厂商型号

HBAT-540B-TR1G

参数属性

HBAT-540B-TR1G 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 825MW SOT323

功能描述

DIODE SCHOTTKY 30V 825MW SOT323

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

Broadcom Broadcom Corporation.

中文名称

博通公司 博通半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:45:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :HBAT-540B-TR1G

  • 生产厂家

    :Broadcom

  • 电压 - 峰值反向(最大值)

    :30V

  • 电流 - 最大值

    :430mA

  • 不同 Vr,F 时的电容

    :-

  • 不同 If,F 时的电阻

    :-

  • 功率耗散(最大值)

    :825mW

  • 工作温度

    :150°C(TJ)

  • 封装/外壳

    :SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装

    :SOT-323

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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