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HBAT-540B-TR1G中文资料DIODE SCHOTTKY 30V 825MW SOT323数据手册Broadcom规格书
| 厂商型号 |
HBAT-540B-TR1G |
| 参数属性 | HBAT-540B-TR1G 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：DIODE SCHOTTKY 30V 825MW SOT323 |
| 功能描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 825MW SOT323 |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 制造商 | Broadcom Broadcom Corporation. |
| 中文名称 | 博通 博通半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 8:39:00 |
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HBAT-540B-TR1G规格书详情
简介
HBAT-540B-TR1G属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的HBAT-540B-TR1G二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。
技术参数
更多- 制造商编号
：HBAT-540B-TR1G
- 生产厂家
：Broadcom
- 电压 - 峰值反向（最大值）
：30V
- 电流 - 最大值
：430mA
- 不同 Vr，F 时的电容
：-
- 不同 If，F 时的电阻
：-
- 功率耗散（最大值）
：825mW
- 工作温度
：150°C（TJ）
- 封装/外壳
：SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装
：SOT-323
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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