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HBAT-5402-TR1数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF

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厂商型号

HBAT-5402-TR1

参数属性

HBAT-5402-TR1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 250MW SOT23-3

功能描述

DIODE SCHOTTKY 30V 250MW SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Broadcom Broadcom Corporation.

中文名称

博通公司 博通半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 12:40:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :HBAT-5402-TR1

  • 生产厂家

    :Broadcom

  • 电压 - 峰值反向(最大值)

    :30V

  • 电流 - 最大值

    :220mA

  • 不同 Vr,F 时的电容

    :-

  • 不同 If,F 时的电阻

    :-

  • 功率耗散(最大值)

    :250mW

  • 工作温度

    :150°C(TJ)

  • 封装/外壳

    :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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