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HER601	文件：325.677 Kbytes Page：2 Pages	6A50VFastrecoverydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
HER601	文件：84.64 Kbytes Page：2 Pages	6.0AmpHighEfficientRectifiers50to1000Volts Features •HighSurgeCurrentCapability •HighReliability •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
HER601	文件：848.74 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMP.HighEfficientRectifiers Features ·Lowforwardvoltagedrop ·Highcurrentcapability ·Highreliability ·Highsurgecurrentcapability ·Plasticmaterial-ULflammability94V-0	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
HER601	文件：268.74 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIERS	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
HER601	文件：536.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIERS ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-6.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Highspeedswitchingforhighefficiency ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦High	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
HER601	文件：309.92 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPHIGHEFFICIENCYRECTIFIERS	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
HER601	文件：276.42 Kbytes Page：2 Pages	8.0AMPHIGHEFFICIENCYRECTIFIERS VOLTAGERANGE50TO1000Volts CURRENT6.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Highspeedswitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
HER601	文件：242.62 Kbytes Page：2 Pages	HighSurgeCurrentCapability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
HER601	文件：132.03 Kbytes Page：2 Pages	6.0AHIGHEFFICIENCYRECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
HER601	文件：309.92 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPHIGHEFFICIENCYRECTIFIERS	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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详细参数

型号：
HB601R
制造商：
SEOUL
制造商全称：
Seoul Semiconductor
功能描述：
2.1*1.0*0.6 mm Side Type
Wavelength：
470nm

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