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IRF330	文件：208.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●LowInputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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IRF330

文件：208.64 Kbytes

Page：5 Pages

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●LowInputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

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产品属性

产品编号：
HB330MJZRE
制造商：
TE Connectivity Passive Product
类别：
电阻器 > 通孔式电阻器
系列：
HB, CGS
包装：
散装
容差：
±5%
功率 (W)：
4W
成分：
厚膜
特性：
高电压，脉冲耐受
温度系数：
±100ppm/°C
工作温度：
-55°C ~ 125°C
封装/外壳：
径向
供应商器件封装：
径向引线
大小 / 尺寸：
2.047" 长 x 0.118" 宽（52.00mm x 3.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.409"（10.40mm）
描述：
RES 30M OHM 5% 4W RADIAL

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