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IRF2204	文件：338.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3.6mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2204L	文件：224.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturestothisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandim	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204LPBF	文件：256.45 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=3.6m廓,ID=170A) Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeatures	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204PBF	文件：263.64 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204PBF	文件：263.64 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204S	文件：224.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturestothisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandim	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204S	文件：263.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-263(D2PAK)packaging •Highspeedswitching •Lowgateinputresistance •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchinga	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2204SPBF	文件：256.45 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=40V,RDS(on)=3.6m廓,ID=170A) Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeatures	IRF International Rectifier	IRF
IRF2204SPBF	文件：329.36 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IX2204	文件：220.58 Kbytes Page：10 Pages	DualLowSide	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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详细参数

型号：
HAT2204C
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HAT2204C供应商更新时间2025-7-26 10:02:00

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