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MBR2045	文件：336.64 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES •Commoncathodestructure •Lowpowerloss,highefficiency •HighOperatingJunctionTemperature •Guardringforovervoltageprotection，Highreliability •RoHSproduct APPLICATIONS •Highfrequencyswitchpowersupply •Freewheelingdiodes,polarityprotectio	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MBR2045	文件：76.57 Kbytes Page：1 Pages	ChipsforSchottkyDiodes GeneralDescription: SchottkyDiodechipswithMo-barrierforswitchmodepowerrectifierswiththefollowingfeatures: Guard-ringforstressprotection Extremelylowforwardvoltage 125℃operationjunctiontemperature reverseavalanchebehavior	GSG Gunter Seniconductor GmbH.	GSG
MBR2045	文件：820.12 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2045	文件：584.54 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100VoltsForwardCurrent-20.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-free moldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR2045	文件：820.11 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2045	文件：470.93 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2045	文件：470.93 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2045	文件：470.93 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2045	文件：459.64 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2045	文件：252.44 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES Features ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory ●FlammabilityClassification94V-0 ●Constructionutilizesvoid-free ●moldedplastictechnique ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Hightemperaturesolderingguaranteed: ●250°C,0.25”(6.35mm)from	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

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详细参数

型号：
HAT2045T
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HAT2045T	RENESAS/瑞萨	23+	TSSOP-8	9000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多HAT2045T供应商更新时间2025-7-13 11:10:00

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