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08TB60B	文件：37.87 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYDIODE8.0A竊?00V	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
HFA08TB60	文件：295.17 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRecoveryRectifier FEATURES ·UltrafastRecoveryTime ·LowForwardVoltage ·LowLeakageCurrent ·150℃OperatingJunctionTemperature ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingpowersupplies ·Powerswitchingcircuits ·Generalpurpose	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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HFA08TB60S	文件：436.08 Kbytes Page：17 Pages	A0.9-AConstantCurrentSupplywithPFCfor100-WLED	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
HFA08TB60S	文件：2.32628 Mbytes Page：3 Pages	8Amperes,600VoltsSwitchModeHyperfastRecoveryEpitaxialDiode	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
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VS-HFA08TB60PBF	文件：146.14 Kbytes Page：8 Pages	HEXFRED짰UltrafastSoftRecoveryDiode,8A FEATURES •Ultrafastandultrasoftrecovery •VerylowIRRMandQrr •Designedandqualifiedaccordingto JEDEC®-JESD47 •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 BENEFITS •ReducedRFIandEMI •Reducedpowerlossindiodeandswitchin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-HFA08TB60SPBF	文件：152.96 Kbytes Page：8 Pages	HEXFRED짰UltrafastSoftRecoveryDiode,8A FEATURES •Ultrafastandultrasoftrecovery •VerylowIRRMandQrr •Specifiedatoperatingconditions •AEC-Q101qualified •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 BENEFITS •ReducedRFIandEMI •Reducedpowerlossindiodeandsw	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-HFA08TB60SPBF	文件：260.769 Kbytes Page：7 Pages	ULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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