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IRF460	文件：17.03 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF460	文件：140.3 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=500V,Rds(on)=0.27ohm,Id=21) TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyanddio	IRF International Rectifier	IRF
IRF460	文件：438.66 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF460	文件：211.29 Kbytes Page：7 Pages	RepetitiveAvalancheRatings	IRF International Rectifier	IRF
IRF460	文件：96.69 Kbytes Page：2 Pages	500V,N-CHANNEL	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF460	文件：48.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF460	文件：498.53 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF460PBF	文件：143.79 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET?숿RANSISTORSTHRU-HOLE(TO-204AA/AE)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI460	文件：211.95 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(Vdss=500V,Rds(on)=0.27ohm,Id=21A) REPETITIVEAVALANCHERATEDANDdv/dtRATEDHEXFET®TRANSISTOR N-CHANNEL	IRF International Rectifier	IRF
IRFI460	文件：215.97 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF

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更多HA-460-BPP供应商更新时间2025-7-18 17:56:00

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