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H830KFYA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：轴向；包装：散装类别：电阻器通孔式电阻器描述：RES 30K OHM 1% 1/4W AXIAL	TE Connectivity Passive Product	TE Connectivity Passive Product
HAC830UP	文件：106.02 Kbytes Page：1 Pages	Linear Hall Sensors 文件：106.02 Kbytes 页数：1 Pages	TDK 东电化	TDK
HFP830	文件：76.28 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：76.28 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
HFP830	文件：398.35 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description This Power MOSFET is produced using planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for half bridge and full bridge resonant 文件：398.35 Kbytes 页数：6 Pages	Huashan 华汕电子器件	Huashan

产品属性

产品编号：
H830KFYA
制造商：
TE Connectivity Passive Product
类别：
电阻器 > 通孔式电阻器
系列：
Holco, Holsworthy
包装：
散装
容差：
±1%
功率 (W)：
0.25W，1/4W
成分：
金属薄膜
特性：
脉冲耐受
温度系数：
±15ppm/°C
工作温度：
-55°C ~ 155°C
封装/外壳：
轴向
供应商器件封装：
轴向
大小 / 尺寸：
0.098" 直径 x 0.283" 长（2.50mm x 7.20mm）
描述：
RES 30K OHM 1% 1/4W AXIAL

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