H45N03E中文资料华昕数据手册PDF规格书
H45N03E规格书详情
Features
• RDS(on)=15mΩ@VGS=10V, ID=25A
• RDS(on)=20mΩ@VGS=4.5V, ID=25A
• Advanced trench process technology
• High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance
• Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers
• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
• Improved Shoot-Through FOM
产品属性
- 型号：
H45N03E
- 制造商：
HSMC
- 制造商全称：
HSMC
- 功能描述：
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(25V, 45A)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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