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K3055	文件：63.92 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-StateResistance RDS(on)1=34mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=50mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=15A) •LowCiss:Ciss=920pFTYP.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
KDT3055L	文件：873.32 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KI3055	文件：1.908 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KI3055DY	文件：1.04953 Mbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KSE3055T	文件：38.01 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeandSwitchingApplications GeneralPurposeandSwitchingApplications •DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A •HighCurrentGain-BandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH3055	文件：50.89 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE3055T •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentG	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH3055	文件：338.17 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH3055	文件：277.91 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.1V(Max)@IC=4A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSH3055I	文件：56.66 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE3055T •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentG	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSH3055-I	文件：50.89 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularKSE3055T •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentG	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
H3055MJ
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET(30V, 12A)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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