| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>H11B2-X009T>芯片详情
H11B2-X009T_VISHAY/威世科技_晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Single CTR 200%英科美电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
H11B2-X009T
- 功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Photodarlington Out Single CTR 200%
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 输入类型：
DC
- 最大集电极/发射极电压：
70 V
- 最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
- 绝缘电压：
5300 Vrms
- 电流传递比：
100 % to 200 %
- 最大正向二极管电压：
1.65 V
- 最大输入二极管电流：
60 mA
- 最大集电极电流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作温度：
+ 110 C
- 最小工作温度：
- 55 C
- 封装/箱体：
DIP-4
- 封装：
Bulk
供应商
相近型号
- H11B2VM
- H11B2-V
- H11B3
- H11B2TVM
- H11B3.300
- H11B2TM
- H11B3.300W
- H11B2T
- H11B3.3S
- H11B2SVM
- H11B3.3SD
- H11B2STA
- H11B3.S
- H11B2SR2M
- H11B3-007
- H11B2SMTR
- H11B3-009
- H11B2SMT&R
- H11B3300
- H11B2SM
- H11B3300W
- H11B2SD
- H11B33S
- H11B2S1TA
- H11B33SD
- H11B2S1(TB)-V
- H11B3AW
- H11B2S1(TA)-V
- H11B3D/C90
- H11B2S1
- H11B3G
- H11B2S(TB)-V
- H11B3-M
- H11B2S(TA)-V
- H11B3M(TA)-V
- H11B2S
- H11B3M(TB)-V
- H11B2M-V
- H11B3M-V
- H11B2M(TB)-V
- H11B3S
- H11B2M(TA)-V
- H11B3S(TA)-V
- H11B2M
- H11B3S(TB)-V
- H11B2G
- H11B3S1
- H11B2AW
- H11B3S1(TA)-V
- H11B3S1(TB)-V
