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H11AA4SVM	文件：119.31 Kbytes Page：9 Pages	ACINPUT/PHOTOTRANSISTOROPTOCOUPLERS DESCRIPTION TheH11AAX-Mseriesconsistsoftwogallium-arsenideinfraredemittingdiodesconnectedininverseparalleldrivingasinglesiliconphototransistoroutput. FEATURES •Bi-polaremitterinput •Built-inreversepolarityinputprotection •UnderwritersLaboratory(UL)re	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11AA4TM	文件：119.31 Kbytes Page：9 Pages	ACINPUT/PHOTOTRANSISTOROPTOCOUPLERS DESCRIPTION TheH11AAX-Mseriesconsistsoftwogallium-arsenideinfraredemittingdiodesconnectedininverseparalleldrivingasinglesiliconphototransistoroutput. FEATURES •Bi-polaremitterinput •Built-inreversepolarityinputprotection •UnderwritersLaboratory(UL)re	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11AA4TVM	文件：119.31 Kbytes Page：9 Pages	ACINPUT/PHOTOTRANSISTOROPTOCOUPLERS DESCRIPTION TheH11AAX-Mseriesconsistsoftwogallium-arsenideinfraredemittingdiodesconnectedininverseparalleldrivingasinglesiliconphototransistoroutput. FEATURES •Bi-polaremitterinput •Built-inreversepolarityinputprotection •UnderwritersLaboratory(UL)re	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11AA4W	文件：528.65 Kbytes Page：8 Pages	ACINPUT/PHOTOTRANSISTOROPTOCOUPLERS Description TheH11AAXseriesconsistsoftwogallium-arsenideinfraredemittingdiodesconnectedininverseparalleldrivingasinglesiliconphototransistoroutput. Features ■Bi-polaremitterinput ■Built-inreversepolarityinputprotection ■UnderwritersLaboratory(UL)reco	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11AA4X	文件：368.46 Kbytes Page：3 Pages	A.C.INPUTPHOTOTRANSISTOROPTICALLYCOUPLEDISOLATORS DESCRIPTION TheH11AAseriesofopticallycoupledisolatorsconsistoftwoinfraredlightemittingdiodesconnectedininverseparallelandNPNsiliconphototransistorinastandard6pindualinlineplasticpackage. FEATURES ●Options:- 10mmleadspread-addGafterpartno. Surfac	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM

详细参数

型号：
H11AA4VM
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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