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FSL110D1

3.5A,100V,0.600Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs

Features •3.5A,100V,rDS(ON)=0.600Ω •TotalDose    -MeetsPre-RADSpecificationsto100KRAD(Si) •SingleEvent    -SafeOperatingAreaCurveforSingleEventEffects    -SEEImmunityforLETof36MeV/mg/cm2withVDSupto80ofRatedBreakdownandVGSof10VOff-Bias •DoseRat

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

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更多H110D1供应商 更新时间2024-6-16 11:09:00