选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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RENESAS/瑞萨SOP-8 |
4500 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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RENESASTO-252 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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瑞萨TO-252 |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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瑞萨TO-252 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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瑞萨TO-252 |
4800 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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瑞萨TO-252 |
4800 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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瑞萨TO-252 |
30000 |
23+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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瑞萨TO-252 |
30000 |
23 |
代理全新原装现货 价格优势 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Renesas(瑞萨)标准封装 |
8619 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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N/A |
46280 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
49300 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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RENESASSOP8 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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RENESAS/瑞萨器场效应管SOP8 |
20000 |
20+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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RENESASSOP |
35689 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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RenesasSC100 SOT669 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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RENESAS/瑞萨8-LFPAK-IV |
6000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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上海专毅电子科技有限公司5年
留言
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RenesasNA |
9998 |
17+ |
全新原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Renesas(瑞萨)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS(瑞萨)/IDTLFPAK8 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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原厂IC |
1 |
13+ |
普通 |
HAT2172采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
HAT2172图片
HAT2172N-EL-E中文资料Alldatasheet PDF
更多HAT2172H制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
HAT2172H-EL-E功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
HAT2172HWS-E制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas 功能描述:0
HAT2172N功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
HAT2172N-EL-E功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件