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BGF109C	文件：241.48 Kbytes Page：7 Pages	10ChannelLCDFilterArraywithESDProtection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BGF109L	文件：443.5 Kbytes Page：7 Pages	10ChannelLCDFilterArraywithESDProtection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BL-L109EGW	文件：281.01 Kbytes Page：3 Pages	RoundType,Bi-colorLEDlamp	BETLUXBetLux Electronics BetLux电子	BETLUX
HAL109	文件：197.8 Kbytes Page：2 Pages	Low-CostHall-EffectSensorFamily	MICRONAS MICRONAS	MICRONAS
HAL109JQ-I	文件：1.77325 Mbytes Page：12 Pages	Hall-EffectSwitchICFamily Introduction TheHAL1xyHallswitchfamilyisproducedinCMOStechnology.Thesensorsincludeatemperature-compensatedHallplatewithactiveoffsetcompensation,acomparator,andanopen-drainoutputtransistor.ThecomparatorcomparestheactualmagneticfluxthroughtheHallplate(Hallvol	MICRONAS MICRONAS	MICRONAS
HAL109JQ-I	文件：1.77325 Mbytes Page：12 Pages	Hall-EffectSwitchICFamily Introduction TheHAL1xyHallswitchfamilyisproducedinCMOStechnology.Thesensorsincludeatemperature-compensatedHallplatewithactiveoffsetcompensation,acomparator,andanopen-drainoutputtransistor.ThecomparatorcomparestheactualmagneticfluxthroughtheHallplate(Hallvol	MICRONAS MICRONAS	MICRONAS
HAL109TQ-I	文件：1.77325 Mbytes Page：12 Pages	Hall-EffectSwitchICFamily Introduction TheHAL1xyHallswitchfamilyisproducedinCMOStechnology.Thesensorsincludeatemperature-compensatedHallplatewithactiveoffsetcompensation,acomparator,andanopen-drainoutputtransistor.ThecomparatorcomparestheactualmagneticfluxthroughtheHallplate(Hallvol	MICRONAS MICRONAS	MICRONAS
HAL109TQ-I	文件：1.77325 Mbytes Page：12 Pages	Hall-EffectSwitchICFamily Introduction TheHAL1xyHallswitchfamilyisproducedinCMOStechnology.Thesensorsincludeatemperature-compensatedHallplatewithactiveoffsetcompensation,acomparator,andanopen-drainoutputtransistor.ThecomparatorcomparestheactualmagneticfluxthroughtheHallplate(Hallvol	MICRONAS MICRONAS	MICRONAS
HC109	文件：47.89 Kbytes Page：5 Pages	DualJ-KFlip-FlopwithSetandReset TheSL74HC109isidenticalinpinouttotheLS/ALS109.ThedeviceinputsarecompatiblewithstandardCMOSoutputs,withpullupresistors,theyarecompatiblewithLS/ALSTTLoutputs. ThisdeviceconsistsoftwoJ-Kflip-flopswithindividualset,reset,andclockinputs.Changesattheinputsare	SLSSystem Logic Semiconductor System Logic Semiconductor	SLS
HC109	文件：855.64 Kbytes Page：19 Pages	DUALJ-KPOSITIVE-EDGE-TRIGGEREDFLIP-FLOPSWITHCLEARANDPRESET	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
HCS109D	文件：171.35 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS109D	文件：403.73 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Cos	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS109DMSR	文件：403.73 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Cos	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS109DMSR	文件：171.35 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS109HMSR	文件：171.35 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS109HMSR	文件：403.73 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Cos	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS109K	文件：403.73 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Cos	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS109K	文件：171.35 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS109KMSR	文件：171.35 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS109KMSR	文件：403.73 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Cos	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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深圳庞田科技有限公司	GZT-SS-112D	GOODSKY	2023+环保现货	专业继电器	6800	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
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更多GZT-SS-109L供应商更新时间2024-3-26 15:06:00

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