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HAL109TQ-I	文件：1.77325 Mbytes Page：12 Pages	Hall-EffectSwitchICFamily Introduction TheHAL1xyHallswitchfamilyisproducedinCMOStechnology.Thesensorsincludeatemperature-compensatedHallplatewithactiveoffsetcompensation,acomparator,andanopen-drainoutputtransistor.ThecomparatorcomparestheactualmagneticfluxthroughtheHallplate(Hallvol	MICRONAS Micronas	MICRONAS
HC109	文件：47.89 Kbytes Page：5 Pages	DualJ-KFlip-FlopwithSetandReset TheSL74HC109isidenticalinpinouttotheLS/ALS109.ThedeviceinputsarecompatiblewithstandardCMOSoutputs,withpullupresistors,theyarecompatiblewithLS/ALSTTLoutputs. ThisdeviceconsistsoftwoJ-Kflip-flopswithindividualset,reset,andclockinputs.Changesattheinputsare	SLS System Logic Semiconductor	SLS
HC109	文件：855.64 Kbytes Page：19 Pages	DUALJ-KPOSITIVE-EDGE-TRIGGEREDFLIP-FLOPSWITHCLEARANDPRESET	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
HCS109D	文件：171.35 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCS109D	文件：403.73 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Cos	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS109DMSR	文件：171.35 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCS109DMSR	文件：403.73 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Cos	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS109HMSR	文件：171.35 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCS109HMSR	文件：403.73 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Cos	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS109K	文件：171.35 Kbytes Page：9 Pages	RadiationHardenedDualJKFlipFlop Description TheIntersilHCS109MSisaRadiationHardenedDualJKFlipFlopwithsetandreset.Theflipflopchangesstatewiththepositivetransitionoftheclock(CP1orCP2). TheHCS109MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnologytoachievehigh-speedoperation.Thisdeviceisamemberofradia	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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