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IP123	文件：65.47 Kbytes Page：7 Pages	3AMPPOSITIVEVOLTAGEREGULATORS FEATURES •0.04/VLINEREGULATION •0.3/ALOADREGULATION •THERMALOVERLOADPROTECTION •SHORTCIRCUITPROTECTION •SAFEOPERATINGAREAPROTECTION •1TOLERANCE •START–UPWITHNEGATIVEVOLTAGE(±SUPPLIES)ONOUTPUT •AVAILABLEIN5V,12VAND15VOPTIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IP123A	文件：65.47 Kbytes Page：7 Pages	3AMPPOSITIVEVOLTAGEREGULATORS FEATURES •0.04/VLINEREGULATION •0.3/ALOADREGULATION •THERMALOVERLOADPROTECTION •SHORTCIRCUITPROTECTION •SAFEOPERATINGAREAPROTECTION •1TOLERANCE •START–UPWITHNEGATIVEVOLTAGE(±SUPPLIES)ONOUTPUT •AVAILABLEIN5V,12VAND15VOPTIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IPM-C123	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IPM-L123	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IRF123	文件：68.22 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.2A,80Vand100V,0.27and0.36Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF123	文件：166.67 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF123	文件：213.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF123	文件：48.39 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingSpeeds	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF123	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	IRF120-123/IRF520-523MTP10N08/10N10N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF123	文件：798.54 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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