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GTVA107001EC-V1-R2分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

GTVA107001EC-V1-R2

参数属性

GTVA107001EC-V1-R2 封装/外壳为SOT-957A;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ,

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 700 W, 50 V, 960 ??1215 MHz

封装外壳

SOT-957A

文件大小

253.63 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

Cree

中文名称

科锐

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更新时间

2025-10-7 17:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    GTVA107001EC-V1-R250

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 系列:

    GaN

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    HEMT

  • 频率:

    960MHz ~ 1.215GHz

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 输出:

    700W

  • 封装/外壳:

    SOT-957A

  • 供应商器件封装:

    H-36248-2

  • 描述:

    700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ,

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE
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