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GTRA262802FC数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
GTRA262802FC |
| 参数属性 | GTRA262802FC 封装/外壳为H-37248C-4；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：280W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH |
| 功能描述 | High Power RF GaN-on-SiC HEMT 250 W; 48 V; 2490 - 2690 MHz |
| 封装外壳 | H-37248C-4 |
| 制造商 | MACOM Tyco Electronics |
| 中文名称 | 玛科姆技术方案控股有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 11:12:00 |
| 人工找货 | GTRA262802FC价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
GTRA262802FC规格书详情
描述 Description
The GTRA262802FC is a 250-watt (P3dB) GaN-on-SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange.
特性 Features
·Typical pulsed CW performance: 2605 MHz; 48 V; 16 μspulse width; 10% duty cycle
·Output power at P3dB 250 W
·Efficiency 62%
·Gain 14.4 dB
·Capable of handling 10:1 VSWR @48 V; 38 W (CW) output power
·Low thermal resistance
·Input matched
·Pb-free and RoHS compliant
应用 Application
·Multi-standard Cellular Power Amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：GTRA262802FC
- 生产厂家
：MACOM
- Min Frequency (MHz)
：2490
- Max Frequency(MHz)
：2690
- P3dB Output Power(W)
：250
- Gain(dB)
：14.0
- Efficiency(%)
：54
- Operating Voltage(V)
：48
- Package Category
：Earless
- Form
：Packaged Discrete Transistor
- Technology
：GaN-on-SiC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
NA |
9485 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
23+ |
22757 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
WOLFSPEED |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
SMD |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
MACOM |
24+ |
5000 |
原装军类可排单 |
询价 | |||
WOLFSPEED |
25+ |
30000 |
原装现货,支持实单 |
询价 | |||
Cree/Wolfspeed |
100 |
询价 | |||||
G-Switch/品赞 |
25+ |
DIP |
2500 |
国产替换现货降本 |
询价 |
