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GTRA260502M-V1数据手册MACOM中文资料规格书

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厂商型号

GTRA260502M-V1

功能描述

High Power RF GaN on SiC HEMT 45 W, 48 V, 2515 – 2675 MHz

制造商

MACOM Tyco Electronics

中文名称

玛科姆技术方案控股有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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GTRA260502M-V1规格书详情

描述 Description

GaN on SiC HEMT technologyAsymmetric Doherty designMain: P1dB = 20.5 W TypPeak: P1dB = 35 W TypTypical pulsed CW performance; 2675 MHz; 48 VGain = 16.3 dBEfficiency = 57%Output power at P3dB = 44.5 W

特性 Features

• GaN on SiC HEMT technology
• Asymmetric Doherty design
• Main: P1dB = 20.5 W Typ
• Peak: P1dB = 35 W Typ

• Typical pulsed CW performance; 2675 MHz; 48 V
• Gain = 16.3 dB
• Efficiency = 57%
• Output power at P3dB = 44.5 W

技术参数

  • 制造商编号

    :GTRA260502M-V1

  • 生产厂家

    :MACOM

  • Frequency Range

    :2300 - 2700 MHz

  • Technology

    :GaN on SiC

  • Frequency (Min)

    :2.515 GHz

  • Frequency (Max)

    :2.675 GHz

  • P3dB Output Power

    :45 W

  • Gain

    :16 dB

  • Efficiency

    :57%

  • Operating Voltage

    :48 V

  • Package Type

    :Surface Mount

  • Recommended for New Design?

    :Yes

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