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GT8G132	文件：187.47 Kbytes Page：6 Pages	StrobeFlashApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT8G132	文件：338.28 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT StrobeFlashApplications •Suppliedincompactandthinpackagerequiresonlyasmall mountingarea •5thgeneration(trenchgatestructure)IGBT •Enhancement-mode •4-Vgatedrivevoltage:VGE=4.0V(min)(@IC=150A) •Peakcollectorcurrent:IC=150A(max)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT8G132	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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更多GT8G132(T2LSONY,F)供应商更新时间2024-6-21 11:00:00

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