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GT8G131

文件：211.99 Kbytes

Page：6 Pages

NCHANNELMOSTYPE(STROBEFLASHAPPLICATIONS)

StrobeFlashApplications •SuppliedinCompactandThinPackageRequiresOnlyaSmallMountingArea •4thgeneration(trenchgatestructure)IGBT •Enhancement-mode •4-Vgatedrivevoltage:VGE=4.0V(min)(@IC=150A) •Peakcollectorcurrent:IC=150A(max)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
GT8G131(TE12L
功能描述：
IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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