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GT80J101A中文资料Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

GT80J101A

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-28 9:15:00

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技术参数

  • 型号:

    GT80J101A

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 80A I(C) | TO-247VAR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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