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GT60J323H	文件：182.08 Kbytes Page：6 Pages	Current Resonance Inverter Switching Application Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( 文件：182.08 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT60J323H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT60J323H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Discrete IGBT Number of Circuits：2\nBuilt-in Diodes：Yes\nComments：Non isolation package\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 60 A \nBreakdown Voltage VCES 600 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
GT60J323	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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GT60J323	文件：175.29 Kbytes Page：6 Pages	Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( 文件：175.29 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
GT60J323H
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Current Resonance Inverter Switching Application

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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