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GT43H

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min.)@ IC= 4A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Switching for dynamotor excitation ·General purpose power amplifier

文件:268.66 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

GT-48331-P-0

TQFP100

GT48350-A3-PBN-C000

QFP

MARVELL

美满

上传:深圳庞田科技有限公司

GT50JR22(S1WLD.E.S

TO-3P

TOSHIBA/东芝

GT813

QFN48

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更多GT43H供应商 更新时间2026-4-18 16:26:00