首页 >GT40QR21(STA1.E.D>规格书列表
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DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT Features 1.6.5thgeneration 2.TheRC-IGBTconsistsofafreewheelingdiodemonolithicallyintegratedinanIGBTchip. 3.Enhancementmode 4.High-speedswitching IGBT:tf=0.20µs(typ.)(IC=40A) FWD:trr=0.60µs(typ.)(IF=15A) 5.Lowsaturationvoltage:VC | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT Features 1.6.5thgeneration 2.TheRC-IGBTconsistsofafreewheelingdiodemonolithicallyintegratedinanIGBTchip. 3.Enhancementmode 4.High-speedswitching IGBT:tf=0.20µs(typ.)(IC=40A) FWD:trr=0.60µs(typ.)(IF=15A) 5.Lowsaturationvoltage:VC | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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