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GT30J126数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

GT30J126

功能描述

Discrete IGBT

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-8 18:39:00

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GT30J126规格书详情

描述 Description

Feature:Fast switching
Number of Circuits:1
Built-in Diodes:No
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Collector Current IC 30 A
Breakdown Voltage VCES 600 V

技术参数

  • 型号:

    GT30J126

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    High Power Switching Applications Fast Switching Applications

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
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