GT30J122中文资料Discrete IGBT数据手册Toshiba规格书
GT30J122规格书详情
描述 Description
Feature：Low saturation voltage
Number of Circuits：1
Built-in Diodes：No
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Collector Current IC 30 A
Breakdown Voltage VCES 600 V
技术参数
- 型号：
GT30J122
- 制造商：
TOSHIBA
- 制造商全称：
Toshiba Semiconductor
- 功能描述：
4TH GENERATION IGBT CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA(东芝) |
24+ |
N/A |
10048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-3P |
66500 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
TO-3P |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-247 |
3520 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
XTW |
24+ |
QFN |
30734 |
绝对原厂支持只做自己现货优势 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
TO-3PF |
1000 |
询价 | |||
TOS |
25+ |
TO-3PF |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
GT30J122A |
10000 |
原装正品实单必成 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2223+ |
TO-3P |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2023+ |
TO-3P |
8890 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 |
