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GT30J122数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

GT30J122

功能描述

Discrete IGBT

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:01:00

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GT30J122规格书详情

描述 Description

Feature:Low saturation voltage
Number of Circuits:1
Built-in Diodes:No
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Collector Current IC 30 A
Breakdown Voltage VCES 600 V

技术参数

  • 型号:

    GT30J122

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全称:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    4TH GENERATION IGBT CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
24+
N/A
10048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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TOSHIBA
23+
TO-3P
28000
原装正品
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TOSHIBA(东芝)
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TOSHIBA/东芝
24+
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TOSHIBA/东芝
24+
TO-247
3520
只做原厂渠道 可追溯货源
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TOSHIBA
24+
TO-3PF
1000
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TOSHIBA/东芝
23+
GT30J122A
10000
原装正品实单必成
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TOSHIBA
24+
TO-3P
5000
全新原装正品,现货销售
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