GT30J121数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
GT30J121规格书详情
描述 Description
Feature：Fast switching
Number of Circuits：1
Built-in Diodes：No
Comments：Non isolation package
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Collector Current IC 30 A
Breakdown Voltage VCES 600 V
技术参数
- 制造商编号
：GT30J121
- 生产厂家
：Toshiba
- VCES (Max)(V)
：600
- IC (Max)(A)
：30
- Built-in Diodes
：No
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：N
- Package name(Toshiba)
：TO-3P(N)
- Comments
：Fast switching
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