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1+ |
- 厂家型号:
GT30J121(Q)
- 产品分类:
芯片
- 生产厂商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 库存数量:
54000
- 产品封装:
N/A
- 生产批号:
23+
- 库存类型:
- 更新时间:
2024-6-17 11:36:00
首页>GT30J121(Q)>芯片详情
原厂料号:GT30J121(Q)品牌:Toshiba Semiconductor and Storage
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GT30J121(Q)是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装N/A/TO-3P-3,SC-65-3的GT30J121(Q)晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
描述
GT30J121(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
管件
2.45V @ 15V,30A
1mJ(开),800µJ(关)
标准
90ns/300ns
300V,30A,24 欧姆,15V
通孔
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P(N)
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
深圳市百视威讯电子科技有限公司
董先生
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