首页>GT30J121(Q)>芯片详情

GT30J121(Q) 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 Toshiba Semiconductor and Storage

GT30J121(Q)参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

订购数量 价格
1+
  • 厂家型号:

    GT30J121(Q)

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 库存数量:

    54000

  • 产品封装:

    N/A

  • 生产批号:

    23+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2024-6-17 11:36:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:GT30J121(Q)品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

一级代理放心采购

GT30J121(Q)是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装N/A/TO-3P-3,SC-65-3的GT30J121(Q)晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    GT30J121(Q)

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 资料说明:

    IGBT 晶体管 600V/30A DIS

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    GT30J121(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.45V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    1mJ(开),800µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    90ns/300ns

  • 测试条件:

    300V,30A,24 欧姆,15V

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P(N)

  • 描述:

    IGBT 600V 30A 170W TO3PN

供应商

  • 企业:

    深圳市百视威讯电子科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    董先生

  • 手机:

    15013613919

  • 询价:
  • 电话:

    0755-27381274 18098996457

  • 传真:

    0755-27381274

  • 地址:

    深圳市福田区滨河大道南园街道南三栋1202