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GT25Q102中文资料Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

GT25Q102

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-30 10:06:00

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技术参数

  • 型号:

    GT25Q102

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    IGBT 1200V TO-3P(LH)

  • 功能描述:

    IGBT, 1200V, TO-3P(LH)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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