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GT25Q102	文件：152.55 Kbytes Page：6 Pages	N CHANNEL IBGT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS) Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( 文件：152.55 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT25Q102	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT25Q102	文件：186.26 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications 文件：186.26 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT25Q102	文件：300 bytes Page：1 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications	Toshiba 东芝	Toshiba
GT25Q102_06	文件：186.26 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications 文件：186.26 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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