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GT20N135SRA中文资料IGBT for soft switching applications数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

GT20N135SRA

参数属性

GT20N135SRA 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A

功能描述

IGBT for soft switching applications

封装外壳

TO-247-3

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-28 18:21:00

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GT20N135SRA规格书详情

描述 Description

Feature:High rugged / Low saturation voltage
Number of Circuits:2
Built-in Diodes:Yes
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Collector Current IC 40 A
Collector-emitter voltage VCES 1350 V

技术参数

  • 制造商编号

    :GT20N135SRA

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • VCES (Max)(V)

    :1350

  • IC (Max)(A)

    :40

  • Built-in Diodes

    :Yes

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :N

  • Package name(Toshiba)

    :TO-247

  • Comments

    :High rugged/Low saturation voltage

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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