GT20J341中文资料Discrete IGBT数据手册Toshiba规格书
GT20J341规格书详情
描述 Description
Feature：Low saturation voltage
Number of Circuits：2
Built-in Diodes：Yes
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：中国
特性 Features
Collector Current IC 20 A
Breakdown Voltage VCES 600 V
技术参数
- 制造商编号
：GT20J341
- 生产厂家
：Toshiba
- VCES (Max)(V)
：600
- IC (Max)(A)
：20
- Built-in Diodes
：Yes
- Number of pins
：3
- Surface mount package
：N
- Package name(Toshiba)
：TO-220SIS
- Comments
：Low saturation voltage
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
4250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-220F |
65428 |
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询价 | ||
XTW |
24+ |
QFN |
30769 |
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TOSHIBA |
13+ |
TO220 |
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TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
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询价 | |||
TOS |
23+ |
TO-220F |
8650 |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
NA |
860000 |
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Toshiba |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
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TOSHIBA/东芝 |
2447 |
SMD |
100500 |
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询价 |
