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GT20J321中文资料Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT High Power Switching Applications Fast Switching Applications数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

GT20J321

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT High Power Switching Applications Fast Switching Applications

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-29 9:30:00

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技术参数

  • 型号:

    GT20J321

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 20A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube

  • 功能描述:

    IGBT 600V TO-220NIS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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