首页 >GT20J101功率三极管>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT HighPowerSwitchingApplications •Third-generationIGBT •Enhancementmodetype •Highspeed:tf=0.30μs(max) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.7V(max) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|
更多GT20J101功率三极管供应商
更新时间
